VishaySiliconix发布具有业

2019-02-28 03:13:26 来源: 怒江信息港

Vishay Siliconix发布具有业内外形和导通电阻的TrenchFET功率MOSFET - 电源技术 - 电子工程

宾夕法尼亚、MALVERN — 2011 年 3 月 14 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出采用0.6mm超低外形的热增强Thin PowerPAK reg; SC-70封装的新款30V N沟道---SiA444DJT和20V P沟道TrenchFET reg;功率MOSFET---SiA429DJT。在2mm x 2mm的占位面积内,新的SiA444DJT实现了N沟道MOSFET当中业内的外形,而高度不到0.8mm的SiA429DJT具有P沟道器件中的导通电阻。

如果手持设备需要比标准0.8mm更薄的N沟道MOSFET,高度为0.6mm的SiA444DJT可以满足要求,其高度比次薄的2mm x 2mm器件小13%,比标准的0.8mm高度小19%。此外,该MOSFET在10V和4.5V下具有17mΩ和22mΩ的低导通电阻,导通电阻与栅极电荷乘积是衡量MOSFET在DC/DC转换器应用中的优值系数(FOM),该器件在10V和4.5V下具有170mΩ-nC和110mΩ-nC的业内FOM。

SiA429DJT在4.5V、2.5V、1.8V和1.5V下具有20.5mΩ、27mΩ、36mΩ和60mΩ的业内导通电阻,足以胜任应用对更薄P沟道器件的要求。该器件在1.8V下的导通电阻比接近的竞争器件小12%,包括标准0.8mm外形的MOSFET和所有2mm x 2mm的P沟道MOSFET。对于手持式电子设备,SiA429DJT和SiA444DJT更低的导通电阻意味着更低的传导损耗,从而延长在充电周期之间的电池寿命。

SiA444DJT和SiA429DJT所采用的超薄Thin PowerPAK SC-70封装针对、智能、MP3播放器、数码相机、电子书和平板电脑等小型手持式电子设备进行了优化。在这些设备中,SiA444DJT可用于高频DC/DC转换器,而SiA429DJT是负载开关或充电开关的理想之选,还可以在DC/DC降压转换器应用中用作高边开关。

这些MOSFET经过了100%的Rg测试,符合IEC 的无卤素规定及RoHS指令2002/95/EC。

新款SiA444DJT和SiA429DJT TrenchFET功率MOSFET现可提供样品,并已实现量产,大宗订货的供货周期为十二周到十四周。

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